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Infineon Technologies IRD3CH11DB6
| Artikelnummer: | IRD3CH11DB6 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Infineon Technologies IRD3CH11DB6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRD3CH11DB6.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.7 V @ 25 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse Die Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 190 ns Verpackung / Gehäuse Die Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 700 nA @ 1200 V Strom - Richt (Io) 25A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer IRD3CH11 IRD3CH11DB6 Einzelheiten PDF [English] IRD3CH11DB6 PDF - EN.pdf -
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