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Infineon Technologies IPT60R102G7XTMA1
| Artikelnummer: | IPT60R102G7XTMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.44 |
| 10+ | $5.822 |
| 100+ | $4.8202 |
| 500+ | $4.1973 |
| 1000+ | $3.6557 |
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- Verpackung
-
Infineon Technologies IPT60R102G7XTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPT60R102G7XTMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 390µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2 Serie CoolMOS™ G7 Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 7.8A, 10V Verlustleistung (max) 141W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) Grundproduktnummer IPT60R102 IPT60R102G7XTMA1 Einzelheiten PDF [English] IPT60R102G7XTMA1 PDF - EN.pdf -
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