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Infineon Technologies IPP12CNE8N G
| Artikelnummer: | IPP12CNE8N G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 85V 67A TO220-3 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies IPP12CNE8N G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPP12CNE8N G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.9mOhm @ 67A, 10V Verlustleistung (max) 125W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc) Grundproduktnummer IPP12C IPP12CNE8N G Einzelheiten PDF [English] IPP12CNE8N G PDF - EN.pdf -
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