IPL60R299CP
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPL60R299CP |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IPL60R299CP Infineon Technologies |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $1.261 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-VSON-4 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
Verlustleistung (max) | 96W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 4-PowerTSFN |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.1A (Tc) |
IPL60R299CP Einzelheiten PDF [English] | IPL60R299CP PDF - EN.pdf |
INFINEON PG-VSON-4
INFINEON PG-VSON-4
MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
IPL60R210P6 INFINEON
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
INFINEON PG-VSON-4
MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
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IPL60R255P6 INFINEON
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
INFINEON PG-VSON-4
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
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MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
INFINEON DFN-85X6
MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4
IPL60R360P6S INFINEON
2024/04/19
2024/04/4
2024/05/17
2025/01/15
IPL60R299CPInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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