IPI11N03LA
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPI11N03LA |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 52W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1358 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPI11N |
IPI11N03LA Einzelheiten PDF [English] | IPI11N03LA PDF - EN.pdf |
IPI120N04S4-01 INF
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
INFINEON TO-262
MOSFET N-CH TO262-3
INFINEON TO-262
INFINEON T0-262
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
IPI120N04S4-02 INF
IPI120N06S4-02 INF
INFINEON TO-262
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
INFINEON TO-262
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
INFINEON TO-262
MOSFET N-CH I2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPI11N03LAInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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