IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 17A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.47 |
10+ | $3.12 |
100+ | $2.5565 |
500+ | $2.1763 |
1000+ | $1.8354 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 360µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 7.2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 101W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 500 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD80R |
IPD80R280P7ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD80R280P7ATMA1 PDF - EN.pdf |
IPD80R1K4CE INFINEO
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH TO252-3
INFINEON TO-252-3
INFineon TO-252
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
INFINEON TO-252-3
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
INFINEON TO-252-3
Infineon TO-252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPD80R280P7ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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