IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD60R1K0CEAUMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.87 |
10+ | $0.77 |
100+ | $0.5903 |
500+ | $0.4666 |
1000+ | $0.3733 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-344 |
Serie | CoolMOS™ CE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 61W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD60R |
IPD60R1K0CEAUMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD60R1K0CEAUMA1 PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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