IPD50P04P4L-11
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Infineon Technologies IPD50P04P4L-11
| Artikelnummer: | IPD50P04P4L-11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IPD50P04P4L-11 Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Infineon Technologies IPD50P04P4L-11 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD50P04P4L-11.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 85µA Vgs (Max) ±16V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-313 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.6 mOhm @ 50A, 10V Verlustleistung (max) 58W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) IPD50P04P4L-11 Einzelheiten PDF [English] IPD50P04P4L-11 PDF - EN.pdf -
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