Name: Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC020N10L3X1SA1
Availability: InStock
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Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1

Artikelnummer:

IPC020N10L3X1SA1

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPC020N10L3X1SA1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 12µA
Vgs (Max)	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	Sawn on foil
Serie	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	-
Verpackung / Gehäuse	Die
Paket	Bulk

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1A (Tj)
Grundproduktnummer	IPC020N
IPC020N10L3X1SA1 Einzelheiten PDF [English]	IPC020N10L3X1SA1 PDF - EN.pdf

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