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Infineon Technologies IPB80P04P4L06ATMA1
| Artikelnummer: | IPB80P04P4L06ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
Infineon Technologies IPB80P04P4L06ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPB80P04P4L06ATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA Vgs (Max) ±16V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 80A, 10V Verlustleistung (max) 88W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6580 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) Grundproduktnummer IPB80P IPB80P04P4L06ATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPB80P04P4L06ATMA1 PDF - EN.pdf -
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