IPB042N03L G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB042N03L G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IPB042N03L G Infineon Technologies |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1000+ | $0.5223 |
2000+ | $0.4875 |
5000+ | $0.4631 |
10000+ | $0.4457 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-2 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 79W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
IPB042N03L G Einzelheiten PDF [English] | IPB042N03L G PDF - EN.pdf |
IPB042N10N3 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
TRENCH >=100V
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
INFINEON TO-263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB042N03L GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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