IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB039N04LGATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 45µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 94W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB039N |
IPB039N04LGATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB039N04LGATMA1 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
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INF TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB039N04L G INFINEON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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