IKD10N60RAATMA2
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Infineon Technologies IKD10N60RAATMA2
| Artikelnummer: | IKD10N60RAATMA2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IKD10N60RAATMA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IKD10N60RAATMA2.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Testbedingung 400V, 10A, 23Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 14ns/192ns Schaltenergie - Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 Serie TrenchStop® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 62 ns Leistung - max 150 W Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Gate-Ladung 64 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 30 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 A Grundproduktnummer IKD10N IKD10N60RAATMA2 Einzelheiten PDF [English] IKD10N60RAATMA2 PDF - EN.pdf -
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-
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Wir inspizieren alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie in ausgezeichnetem Zustand sind, und überprüfen, ob die Teile neu, originell sind, und entsprechen den Datenblattspezifikationen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie über Global Express.
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