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Infineon Technologies BSZ058N03LS G
| Artikelnummer: | BSZ058N03LS G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSZ058N03LS G Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
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Infineon Technologies BSZ058N03LS G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSZ058N03LS G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 45W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 40A (Tc) BSZ058N03LS G Einzelheiten PDF [English] BSZ058N03LS G PDF - EN.pdf -
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