Name: Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP613PL6327HUSA1
Availability: InStock
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Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1

Artikelnummer:

BSP613PL6327HUSA1

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSP613PL6327HUSA1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-SOT223-4
Serie	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2.9A, 10V
Verlustleistung (max)	1.8W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	875 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.9A (Ta)
BSP613PL6327HUSA1 Einzelheiten PDF [English]	BSP613PL6327HUSA1 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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