Name: Infineon Technologies BSC200P03LSG
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC200P03LSG
Price: 0.43 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (845 reviews)

Infineon Technologies BSC200P03LSG

Artikelnummer:

BSC200P03LSG

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

P-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

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PayPal / Credit Card / T/T

Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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$0.43

Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies BSC200P03LSG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC200P03LSG.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TDSON-8-6
Serie	OptiMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 12.5A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 63W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48.5 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
BSC200P03LSG Einzelheiten PDF [English]	BSC200P03LSG PDF - EN.pdf

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