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Infineon Technologies BSC0902NSI
| Artikelnummer: | BSC0902NSI |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSC0902NSI Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
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Infineon Technologies BSC0902NSI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC0902NSI.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 10mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 100A (Tc) BSC0902NSI Einzelheiten PDF [English] BSC0902NSI PDF - EN.pdf -
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