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Infineon Technologies BSC014NE2LSI
| Artikelnummer: | BSC014NE2LSI |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSC014NE2LSI Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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Infineon Technologies BSC014NE2LSI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC014NE2LSI.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Ta), 100A (Tc) BSC014NE2LSI Einzelheiten PDF [English] BSC014NE2LSI PDF - EN.pdf -
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