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Infineon Technologies BSB044N08NN3GXUMA1
| Artikelnummer: | BSB044N08NN3GXUMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1+ | $3.83 |
| 10+ | $3.441 |
| 100+ | $2.819 |
| 500+ | $2.3997 |
| 1000+ | $2.0239 |
| 2000+ | $1.9227 |
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Infineon Technologies BSB044N08NN3GXUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSB044N08NN3GXUMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 97µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse MG-WDSON-2, CanPAK M™ Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Verpackung / Gehäuse 3-WDSON Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 90A (Tc) Grundproduktnummer BSB044 BSB044N08NN3GXUMA1 Einzelheiten PDF [English] BSB044N08NN3GXUMA1 PDF - EN.pdf -
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