MMIX1F160N30T
IXYS
Deutsch
Artikelnummer: | MMIX1F160N30T |
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Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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20+ | $45.7675 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 24-SMPD |
Serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 60A, 10V |
Verlustleistung (max) | 570W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 24-PowerSMD, 21 Leads |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 335 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 102A (Tc) |
Grundproduktnummer | MMIX1F160 |
MMIX1F160N30T Einzelheiten PDF [English] | MMIX1F160N30T PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 300V 108A 24SMPD
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2024/06/6
2024/04/18
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2023/12/20
![]() MMIX1F160N30TIXYS |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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