IXTQ75N10P
IXYS
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- D -Sub, D -förmige Steckverbinder - Zubehör - JackScrews(830)
- D-Sub, d-förmige Steckverbinder-Zubehör(1168)
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- USB, DVI, HDMI Stecker-Adapter(45761)
- USB, DVI, HDMI Stecker(3377)
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- Klemmen-Draht-Steckverbinder(40747)
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- Klemmen-Messer Steckverbinder(3829)
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- Klemmen-Folie Steckverbinder(662)
- Klemmen-Barrel, Bullet-Steckverbinder(5430)
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- Anschlussblöcke-Kontakte(306247)
- Anschlussblöcke-Barrier Blocks(44736)
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren-Adapter(765)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
- Rechteckige Verbinder-Kontakte(5477)
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- Rechteckige Verbinder-Adapter(251)
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- Rechteckig - Brett zu Board -Steckern - Header, männliche Stifte(239)
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- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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- Photovoltaik (Solar Panel) Steckverbinder(365)
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IXYS IXTQ75N10P
| Artikelnummer: | IXTQ75N10P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 75A TO3P |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
IXYS IXTQ75N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IXTQ75N10P.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-3P Serie Polar Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V Verlustleistung (max) 360W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) Grundproduktnummer IXTQ75 IXTQ75N10P Einzelheiten PDF [English] IXTQ75N10P PDF - EN.pdf -
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