Name: IXYS IXTQ18N60P
Brand: IXYS
SKU: IXTQ18N60P
Price: 5.3467 USD
Availability: InStock
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IXYS IXTQ18N60P

Artikelnummer:

IXTQ18N60P

Hersteller / Marke:

IXYS / Littelfuse

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 600V 18A TO3P

Datenblätte:

1.IXTQ18N60P.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf IXTQ18N60P, IXTV18N60P/PS.pdf

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$5.3467

Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~IXYS IXTQ18N60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IXTQ18N60P.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-3P
Serie	Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)	360W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)
Grundproduktnummer	IXTQ18
IXTQ18N60P Einzelheiten PDF [English]	IXTQ18N60P PDF - EN.pdf

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