Name: IXYS IXTA3N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTA3N100D2
Price: 2.9734 USD
Availability: InStock
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IXYS IXTA3N100D2

Artikelnummer:

IXTA3N100D2

Hersteller / Marke:

IXYS / Littelfuse

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

Datenblätte:

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~IXYS IXTA3N100D2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IXTA3N100D2.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	-
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-263AA
Serie	Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37.5 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)
Grundproduktnummer	IXTA3
IXTA3N100D2 Einzelheiten PDF [English]	IXTA3N100D2 PDF - EN.pdf

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- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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