IXTA18P10T
IXYS
Deutsch
Artikelnummer: | IXTA18P10T |
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Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 18A TO263 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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50+ | $2.3918 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±15V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AA |
Serie | TrenchP™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Grundproduktnummer | IXTA18 |
IXTA18P10T Einzelheiten PDF [English] | IXTA18P10T PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
IXYS TO263
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IXTA18P10TIXYS |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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