IXFX170N20T
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IXYS IXFX170N20T
| Artikelnummer: | IXFX170N20T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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- Versandinformationen
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IXYS IXFX170N20T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IXFX170N20T.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 Serie HiPerFET™, Trench Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 60A, 10V Verlustleistung (max) 1150W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) Grundproduktnummer IXFX170 IXFX170N20T Einzelheiten PDF [English] IXFX170N20T PDF - EN.pdf -
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