IXTP80N12T2
IXYS
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.98 |
10+ | $2.679 |
100+ | $2.1949 |
500+ | $1.8685 |
1000+ | $1.5758 |
2000+ | $1.4971 |
5000+ | $1.4408 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | TrenchT2™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 325W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4740 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | IXTP80 |
IXTP80N12T2 Einzelheiten PDF [English] | IXTP80N12T2 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 700V 8A TO220-3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IXTP80N12T2IXYS |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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