IS43LR32800F-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LR32800F-6BLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Supplier Device-Gehäuse | 90-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mbit |
Speicherorganisation | 8M x 32 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 166 MHz |
Grundproduktnummer | IS43LR32800 |
Zugriffszeit | 5.5 ns |
IS43LR32800F-6BLI Einzelheiten PDF [English] | IS43LR32800F-6BLI PDF - EN.pdf |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 16
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 16
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 20
ISSI BGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 20
256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1
256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43LR32800F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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