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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI
| Artikelnummer: | IS43DR86400C-3DBLI |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
| Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 242+ | $6.4693 |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IS43DR86400C-3DBLI.Produkteigenschaften Eigenschaften Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V Technologie SDRAM - DDR2 Supplier Device-Gehäuse 60-TWBGA (8x10.5) Serie - Verpackung / Gehäuse 60-TFBGA Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Speichertyp Volatile Speichergröße 512Mbit Speicherorganisation 64M x 8 Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat DRAM Uhrfrequenz 333 MHz Grundproduktnummer IS43DR86400 Zugriffszeit 450 ps IS43DR86400C-3DBLI Einzelheiten PDF [English] IS43DR86400C-3DBLI PDF - EN.pdf -
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