IS42S32160C-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS42S32160C-6BLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 90-WBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 90-LFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 16M x 32 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 166 MHz |
Grundproduktnummer | IS42S32160 |
Zugriffszeit | 5.4 ns |
IS42S32160C-6BLI Einzelheiten PDF [English] | IS42S32160C-6BLI PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 90LFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90LFBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS42S32160C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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