Name: Fairchild Semiconductor ISL9N327AD3ST
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: ISL9N327AD3ST
Price: 0.56 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (287 reviews)

Fairchild Semiconductor ISL9N327AD3ST

Artikelnummer:

ISL9N327AD3ST

Hersteller / Marke:

Fairchild Semiconductor

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

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Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Fairchild Semiconductor ISL9N327AD3ST Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments ISL9N327AD3ST.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-252-3 (DPAK)
Serie	UltraFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Tc)
ISL9N327AD3ST Einzelheiten PDF [English]	ISL9N327AD3ST PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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