IRFW530ATM
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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987+ | $0.30 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 55W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
IRFW530ATM Einzelheiten PDF [English] | IRFW530ATM PDF - EN.pdf |
IR TO-251
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRFW530ATMFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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