IRFR421
Harris Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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683+ | $0.44 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 450 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.5A (Tc) |
IRFR421 Einzelheiten PDF [English] | IRFR421 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
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IR to-252
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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