IRF721R
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Harris Corporation IRF721R
| Artikelnummer: | IRF721R |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Harris Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Harris Corporation IRF721R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF721R.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.8A, 10V Verlustleistung (max) 50W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 350 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Ta) -
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