IRF541
Harris Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
190+ | $1.58 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 10V |
Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Tc) |
IRF541 Einzelheiten PDF [English] | IRF541 PDF - EN.pdf |
IR TO-220
IR TO-263
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF541Harris Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|