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Infineon Technologies IRLR120NTRPBF
| Artikelnummer: | IRLR120NTRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IR |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies IRLR120NTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRLR120NTRPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±16V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D-Pak Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V Verlustleistung (max) 48W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) Grundproduktnummer IRLR120 IRLR120NTRPBF Einzelheiten PDF [English] IRLR120NTRPBF PDF - EN.pdf -
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