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Infineon Technologies IRFS3307ZTRLPBF
| Artikelnummer: | IRFS3307ZTRLPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IR |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
Infineon Technologies IRFS3307ZTRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFS3307ZTRLPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 75A, 10V Verlustleistung (max) 230W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) Grundproduktnummer IRFS3307 IRFS3307ZTRLPBF Einzelheiten PDF [English] IRFS3307ZTRLPBF PDF - EN.pdf -
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