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Infineon Technologies IRF9Z34NPBF
| Artikelnummer: | IRF9Z34NPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IR |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1000+ | $0.5588 |
| 2000+ | $0.5215 |
| 5000+ | $0.4955 |
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-
Infineon Technologies IRF9Z34NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF9Z34NPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 68W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) Grundproduktnummer IRF9Z34 IRF9Z34NPBF Einzelheiten PDF [English] IRF9Z34NPBF PDF - EN.pdf -
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