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Infineon Technologies IRF9953TRPBF
| Artikelnummer: | IRF9953TRPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IR |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO |
| Datenblätte: |
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| ECAD -Modell: | |
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Infineon Technologies IRF9953TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF9953TRPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V Leistung - max 2W Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Grundproduktnummer IRF995 IRF9953TRPBF Einzelheiten PDF [English] IRF9953TRPBF PDF - EN.pdf -
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