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Infineon Technologies IRF6215PBF
| Artikelnummer: | IRF6215PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IR |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB |
| Datenblätte: |
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Infineon Technologies IRF6215PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF6215PBF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.6A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) IRF6215PBF Einzelheiten PDF [English] IRF6215PBF PDF - EN.pdf -
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