IPW90R1K0C3
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO247-3-21 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 89W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.7A (Tc) |
IPW90R1K0C3 Einzelheiten PDF [English] | IPW90R1K0C3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
INFINEON TO-247
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
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MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 COO
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MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3
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INFINEON TO-247
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N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
2024/06/6
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2023/12/20
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