Name: Infineon Technologies IPW50R299CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW50R299CP
Price: 1.36 USD
Availability: InStock
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Infineon Technologies IPW50R299CP

Artikelnummer:

IPW50R299CP

Hersteller / Marke:

Infineon Technologies

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ECAD -Modell:

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PayPal / Credit Card / T/T

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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$1.36

Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies IPW50R299CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPW50R299CP.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TO247-3-21
Serie	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299mOhm @ 6.6A, 10V
Verlustleistung (max)	104W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
IPW50R299CP Einzelheiten PDF [English]	IPW50R299CP PDF - EN.pdf

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