IPS65R950C6
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO251 |
Serie | CoolMOS C6™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 37W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
IPS65R950C6 Einzelheiten PDF [English] | IPS65R950C6 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
IPS7081RPBF IR
INFINEON TO-251
IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
INFINEON TO-251A
MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
INFINEON TO-251
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
INFINEON TO-251A
CONSUMER
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPS65R950C6Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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