IPP60R750E6
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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547+ | $0.55 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | CoolMOS E6™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 48W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 373 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.7A (Tc) |
IPP60R750E6 Einzelheiten PDF [English] | IPP60R750E6 PDF - EN.pdf |
INFINEON TO-220
IPP60R950C6 Infineon Technologies
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPP60R750E6Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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