IPP08CNE8NG
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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315+ | $0.95 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 95A, 10V |
Verlustleistung (max) | 167W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6690 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 85 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 95A (Tc) |
IPP08CNE8NG Einzelheiten PDF [English] | IPP08CNE8NG PDF - EN.pdf |
IPP096N03L Infineon
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
IPP08CN10NG INFINEON
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
INFINEON TO220
MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
IPP093N06N3 Infineon
MOSFET N-CH 100V 95A TO220-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPP08CNE8NGInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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