IPP024N06N3G
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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201+ | $1.50 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | OptiMOS™ 3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
IPP024N06N3G Einzelheiten PDF [English] | IPP024N06N3G PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
INFINEON TO-220
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MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
INFINEON TO-220
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPP024N06N3GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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