IPI60R250CP
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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176+ | $1.71 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 104W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
IPI60R250CP Einzelheiten PDF [English] | IPI60R250CP PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 650V 12A TO262-3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPI60R250CPInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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