IPI60R165CP
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3-1 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (max) | 192W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
IPI60R165CP Einzelheiten PDF [English] | IPI60R165CP PDF - EN.pdf |
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
HIGH POWER_LEGACY
PFET, 31A I(D), 600V, 0.099OHM,
HIGH POWER_LEGACY
MOSFET N-CH 650V 12A TO262-3
MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3
IPI60R125 - 600V COOLMOS N-CHANN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPI60R165CPInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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