IPI50R250CP
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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270+ | $1.11 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3-1 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 114W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1420 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
IPI50R250CP Einzelheiten PDF [English] | IPI50R250CP PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
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HIGH POWER_LEGACY
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
LOW POWER_LEGACY
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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