IPI072N10N3G
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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289+ | $1.04 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3-1 |
Serie | OptiMOS® 3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
IPI072N10N3G Einzelheiten PDF [English] | IPI072N10N3G PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
IPI05CN10NG INFINEON
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPI072N10N3GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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