IPD50N06S3L-08
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-11 |
Serie | OptiMOS-T |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Verlustleistung (max) | - |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A |
Grundproduktnummer | IPD50 |
IPD50N06S3L-08 Einzelheiten PDF [English] | IPD50N06S3L-08 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
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2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPD50N06S3L-08Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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